SJ 50033.136-1997 半导体光电子器件GF116型红色发光二极管详细规范
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ID： |
34B0B12E9AF94AE2A27C88E8287E4948 |
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文件大小(MB)： |
0.43 |
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页数： |
8 |
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日期： |
2024-7-27 |
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SJ,中华人民共和国电子行业军用标准,FL 5980 SJ 50033/136-97,半导体光电子器件,GF116型红色发光二极管,详细规范,Semiconductor optoelectronic devices,Detail specification for red light emitting,diode for type GF116,1997-06/7 发布 1997.10.01 实施,中华人民共和国电子工业部批准,中华人民共和国电子行业军用标准,半导体光电子器件,GF116型红色发光二极管详细规范SJ 50033/136-97,Semiconductor optoelectrioic devices,Detail specification for red light emitting,diode for type GFl 16,范围,1.1 主题内容,本规范规定了军用GF116型红色发光二极管(以下简称器件)的详细要求,1.2 适用范围,本规范适用于器件的研制、生产和采购,1.3 分类,1.3.1 器件的等级,按GJB 33—85(半导体分立器件总规范》的规定,提供的质量保证等级为普军级(GP)、特,军级(GT)二级,2引用文件,GB 11499— 89 半导体分立器件文字符号,GJB 33-85 半导体分立器件总规范,GJB 128-86 半导体分立器件试验方法,SJ 2355-83 半导体发光器件测试方法,GB/T 15651—95 半导体器件分立器件和集成电路,第5部分:光电子器件,3要求,3.I 详细要求,各条要求应按GJB 33和本规范的规定,3.2 设计、结构与外形尺寸,器件的设计、结构应按GJB 33中3.5.1,3.5.3,3.5.4,和3.5.7条及本规范的规定。外,形尺寸符合本规范图1的规定,3.2.1 管芯材料,管芯材料为磷化傢,中华人民共和国电子工业部1997-06-17发布1997/0-01 实施,-1 一,SJ 50033/136-97,3.2.2 外形尺寸及引出端识别（见图1） 栢,符、尺,号、寸,最小标称最大,A 11.3 一12.2,Ai 3.8 — 4.2,M 0.45 一0.55,和4.90 — 5.15,切1 2.90 — 3.10,附2 3.80 — 3.98,切3 3.60 3.80,犯4.3 一4.4,e 一2.29 —,F 0.7 — 0.9,Ft 0.35 一0.55,L 12 — —,Li 一1.5 —,3.2.3封装形式,1.正极2.负极,图1,仙,金属屏蔽环氧树脂红色散射非空腔封装,见图1,3.2.4 引线长度,可按合同的规定（见6.2条）提供引线长度不同于本规范图1规定的器件,3.3 引线材料和引线镀涂,引线材料为铜基合金或铁基合金,引线镀银或镀金,也可按照合同规定（见6.2条）,3.4 最大额定值和主要光电特性,3.4.I 最大额定值（见表1）,表1,(mA),I fpm",(mA),Vr,(V),Pm,(mW),T1,amb,(t),丁加,（C）,30 100 6 80 *-45-85 -45 .100,注:1）脉冲宽度0.1ms,占空比1/10,3.4.2 主要光电特性（见表2,Tamb = 25C）,表2,名 称符号条 件,数 值,单位,最小最大,发光强度ん厶=10mA,夕=0’ 1.5 med,正向电压% ，f = 10mA 2.2 V,2,下载,SJ 50033/136-97,续表2,名 称符号条 件,数 值,单位,最小最大,峰值发射波长必IF= 10mA 680 700 nm,光谱報射带宽义10mA 100 nm,反向电流1R Vr = 6V 10,半强度角たIp- 10mA 30,3.5 标志,根据器件的特点,省略GJB 33中关于器件上标志的规定,其余按GJB 33的规定,4质量保证规定,4.!抽样和检验,抽样和检验应按GJB 33和本规范的规定,4.1.1 表4Al分组进行检验和试验的器件可以用于A2、A3、A4分组的检验和试验,通过A,组检验的器件,可以作为B组和C组检验和试验抽样的母体,4.1.2 在做C组检验中的寿命试验时,制造厂有权选择已经过340h的B组寿命试验的样品,再进行660h的试验,以满足C组寿命试验1000E的要求,4.1.3 在做C组检验的温度循环试验时,制造厂有权选择已经过B组10次循环的全部样品,或部分样品再进行15次循环,以满足C组25次循环的要求,4.1.4 表6cl分组进行检验的器件,如果光电特性符合A2、A4分组的要求则可以用于C2分,组的检验和试验,4.2 筛选（仅对GT级）,筛选的步骤和条件应按GJB 33和本规范表3的规定,表3筛选的步骤和条件（仅对GT级）,步骤检验和试验,GJB 128,符 号,极限值,单位,方 法条 件最小最大,1 内部目检,（封装前）,2073 芯片完整,电极完整,2 高温寿命1032 Tstg= 100'C,r=24h,3 热冲击,（温度循环）,1051 除最高温度7 = 100じ,最低温度1= - 45匕,循环10次外,其余按,试验条件A,4 恒定加速度,（不适用）,5 密封（不适用）,6 髙温反偏（不适用）,3,SJ 50033/136-97,续表3,步骤 检验和试验,GJB 128,符 号,极限值,单位,方 法条 件最小最大,7 中间光电参数测试,正向电压,反向电流,发光强度,SJ 2355.2,SJ 2355.3,GB/T 15651,/F= 10mA,Vr = 6V,If = !0mA, =,%,Ir,G 1……
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